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BUK7Y15-60EX是MOSFET N沟道60 V 15 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y15-60E115部件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供94 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.9 ns，上升时间为9.9ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为53 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.8ns，典型接通延迟时间为7.4ns，Qg栅极电荷为25.41nC，沟道模式为增强型。
BUK7Y22-100EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件具有14.2 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为47 nC，Pd功耗为147 W，零件别名为BUK7Y22-100E115，封装为卷轴，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为49 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUK7Y21-40EX，带有电路图，包括单组态，它们设计为在5.5 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于33 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有45W的Pd功耗，Qg栅极电荷为10nC，Rds漏极-源极电阻为17.8mOhms，上升时间为6.4ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为6.7ns，典型导通延迟时间为4.9ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
BUK7Y19-100EX带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
