9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5803NT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5803NT4G参考价格为2.224美元。onsemi NVD5803NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 40V 85A DPAK。您可以下载NVD5803NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD5490NLT4G是MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM，包括NVD5490NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有49 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为66mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9.4ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为15S。
NVD5802NT4G是MOSFET DPAK 3W SMT PBF，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTD58022N，以及4.4 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作3W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，Id连续漏电流为101A。
NVD5484NLT4G带有电路图，包括54 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供卷盘、Rds漏极源电阻等封装功能，设计工作在17 mOhms，以及NVD5484NL系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.13932盎司，器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
NVD5414NT4G是MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOH，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表说明所示，用于Si，提供封装功能，如卷轴，系列设计用于NTD5414N，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作60V Vds漏极-源极击穿电压。此外，漏极源极电阻Rds为37毫欧，该器件提供24 A Id连续漏极电流，该器件的单位重量为0.13932盎司。
