我们著名的34 mm 1200V斩波IGBT模块,带有快速沟槽/场阻IGBT4和发射极控制4二极管,是您设计的正确选择。
特色
- 延长工作温度T vj op
- 低开关损耗
- 低电压CEsat
- T vj操作=150°C
- 具有正温度系数的V CEsat
- 隔离底板
- 标准外壳
- 灵活性
- 最佳电气性能
- 最高可靠性
应用
潜在应用
起订量: 1
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我们著名的34 mm 1200V斩波IGBT模块,带有快速沟槽/场阻IGBT4和发射极控制4二极管,是您设计的正确选择。
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。