久芯网
FDPF18N50T-G
收藏

FDPF18N50T-G

渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥67.01131
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥67.01
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 场效应管特性 -
  • 场效应管类型 -
  • 技术 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 上次购买

FDPF18N50T-G 产品详情

单场效应晶体管™ N沟道MOSFET,Fairchild半导体

单场效应晶体管™ MOSFET是Fairchild Semiconductor的高压MOSFET家族。它在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管允许UniFET II™ MOSFET能够承受超过2000V的HBM浪涌应力。
单场效应晶体管™ MOSFET适用于开关功率转换器应用,例如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX(先进技术扩展)和电子镇流器。

特色

•RDS(开启)=265 mΩ(最大值)@VGS=10 V,ID=9A•低栅极电荷(典型值45 nC)•低Crss(典型值25 pF)•100%雪崩测试

FDPF18N50T-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDPF18N50T-G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDPF18N50T-G价格参考¥67.011311,你可以下载 FDPF18N50T-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDPF18N50T-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部