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MC14050BDR2G

  • 描述:逻辑类型: 缓冲区,非反相 电源电压: 3V~18V 每个元件的位数: one 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.90778
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.91
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 逻辑类型 缓冲区,非反相
  • 输入类别 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 每个元件的位数 one
  • 输出类别 推拉
  • 电源电压 3V~18V
  • 元件数量 6
  • 包装/外壳 16-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 16-SOIC
  • 输出高电流, 输出低电流 10毫安、40毫安

MC14050BDR2G 产品详情

The MC14050BDR2G is a Hex Inverter/Buffer constructed with MOS P-channel and N-channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and high noise immunity is desired. This device provides logic level conversion using only one supply voltage, VDD. The input-signal high level (VIH) can exceed the VDD supply voltage for logic level conversions. Two TTL/DTL loads can be driven when the device is used as a CMOS-to-TTL/DTL converter.

Feature

  • High source and sink currents
  • High-to-low level converter
  • VIN can exceed VDD
  • Improved ESD protection on all inputs
  • Meets JEDEC B specifications


(Picture: Pinout)

MC14050BDR2G所属分类:逻辑接收/发送/驱动/缓冲器,MC14050BDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC14050BDR2G价格参考¥1.907780,你可以下载 MC14050BDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC14050BDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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