MB85RC512TPNF-G-JNERE1
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
- 品牌: 富士通 (FUJITSU)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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起订量: 1
- 库存: 2390
- 单价: ¥36.40933
-
数量:
- +
- 总计: ¥36.41
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Non-Volatile
- 存储格式 FRAM
- 技术 铁电RAM
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 存储接口 IOC
- 时钟频率 3.4兆赫
- 单字、单页写入耗时 -
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 制造厂商 富士通 (FUJITSU)
- 存储容量 512Kb (64K x 8)
- 电源电压 1.8伏~3.6伏
- 访达时期 130纳秒
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 产品详情
The MB85RC512T is a 512 K bits FRAM LSI with serial interface (I2C), using the ferroelectric process and silicon gateCMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells.Since the FRAM is able to write with high-speed operation even though it is a nonvolatile memory, the MB85RC512T issuitable for the log management and the storage of the resume data, etc. 9icnet Electronics (and its e-commerce division: 9icnet.com) is an authorized Fujitsu-FSA distributor.
MB85RC512TPNF-G-JNERE1所属分类:存储器,MB85RC512TPNF-G-JNERE1 由 富士通 (FUJITSU) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MB85RC512TPNF-G-JNERE1价格参考¥36.409334,你可以下载 MB85RC512TPNF-G-JNERE1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MB85RC512TPNF-G-JNERE1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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