3V (ML-1) High Reliability NAND Flash for Embedded
ML Nand Flash Memory organisation format range:
128 M x 8 bit, 64 M x 16 bit - S34ML01G100BHI000, S34ML01G100TFI000
128 M x 16 bit, 256 M x 8 bit - S34ML02G100BHI000, S34ML02G100TFI000
256M x 16 bit, 512M x 8 bit - S34ML04G100BHI000, S34ML04G100TFI000
Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0
![S34ML04G100BHI000](https://uploads.9icnet.com/images/product/picture/526/596/24254111.jpg)
S34ML04G100BHI000
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 67
- 库存: 203266
- 单价: ¥27.08845
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,814.93
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规格参数
- 存储类型 Non-Volatile
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 存储格式 FLASH
- 访达时期 -
- 电源电压 2.7伏~3.6伏
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 技术 FLASH-NAND
- 存储接口 并联
- 时钟频率 -
- 单字、单页写入耗时 25纳秒
- 包装/外壳 63-VFBGA
- 部件状态 过时的
- 存储容量 4Gb (512M x 8)
- 供应商设备包装 63-BGA (11x9)
S34ML04G100BHI000 产品详情
SLC NAND Flash Memory, Cypress Semiconductor
S34ML04G100BHI000所属分类:存储器,S34ML04G100BHI000 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。S34ML04G100BHI000价格参考¥27.088446,你可以下载 S34ML04G100BHI000中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询S34ML04G100BHI000规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
![英飞凌 (Infineon)](https://uploads.9icnet.com/images/brand/logo/web-infineon.png)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。