MB85RS512TPNF-G-JNERE1
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏 时钟频率: 30兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
- 品牌: 富士通 (FUJITSU)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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起订量: 1
- 库存: 25483
- 单价: ¥30.45638
-
数量:
- +
- 总计: ¥30.46
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Non-Volatile
- 存储格式 FRAM
- 技术 铁电RAM
- 存储接口 串行外设接口
- 访达时期 -
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 单字、单页写入耗时 -
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 制造厂商 富士通 (FUJITSU)
- 存储容量 512Kb (64K x 8)
- 电源电压 1.8伏~3.6伏
- 时钟频率 30兆赫
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 产品详情
MB85RS512T is a FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 65,536 words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells.MB85RS512T adopts the Serial Peripheral Interface (SPI).The MB85RS512T is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM.The memory cells used in the MB85RS512T can be used for 1013 read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by Flash memory and E²PROM.MB85RS512T does not take long time to write data like Flash memories or E²PROM, and MB85RS512T takes no wait time. 9icnet Electronics is an authorized Fujitsu Electronics distributor.
MB85RS512TPNF-G-JNERE1所属分类:存储器,MB85RS512TPNF-G-JNERE1 由 富士通 (FUJITSU) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MB85RS512TPNF-G-JNERE1价格参考¥30.456380,你可以下载 MB85RS512TPNF-G-JNERE1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MB85RS512TPNF-G-JNERE1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
富士通 (FUJITSU)
Fujitsu(富士通)是世界领先的日本信息通信技术(ICT)企业,提供着全方位的技术产品、解决方案和服务。在全球拥有约17万名员工,客户遍布世界100多个国家。我们凭借在ICT领域的丰富经验和实力,致...