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24AA025UIDT-I/OT

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (128 x 8 x 2) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: SOT-23-6
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 29593
  • 单价: ¥16.43921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.44
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 存储格式 EEPROM
  • 存储接口 IOC
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 时钟频率 400千赫
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 访达时期 900 ns
  • 电源电压 1.7伏~5.5伏
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 供应商设备包装 SOT-23-6
  • 存储容量 2Kb (128 x 8 x 2)

24AA025UIDT-I/OT 产品详情

The 24AA025UIDT-I/OT is a 2kB I²C serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with a preprogrammed, 32-bit unique ID. The device is organized as two blocks of 128 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage design permits operation down to 1.7V, with maximum standby and active currents of only 1mA and 1mA, respectively. The 24AA02XUID also has a page write capability for up to eight bytes of data.

Feature

  • Single supply with operation down to 1.7V
  • Low-power CMOS technology
  • 2-wire serial interface (I²C™ compatible)
  • Schmitt trigger inputs for noise suppression
  • Output slope control to eliminate ground bounce
  • 100 and 400kHz Clock compatibility
  • Page write time 3ms typical
  • Self-timed erase/write cycle
  • Page write buffer
  • ESD protection >4000V
  • More than 1million erase/write cycles
  • Data retention >200 years
24AA025UIDT-I/OT所属分类:存储器,24AA025UIDT-I/OT 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。24AA025UIDT-I/OT价格参考¥16.439210,你可以下载 24AA025UIDT-I/OT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询24AA025UIDT-I/OT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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