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7133LA25JGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 250

  • 库存: 0
  • 单价: ¥223.89021
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55,972.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 技术 SRAM-双端口,异步
  • 单字、单页写入耗时 25纳秒
  • 访达时期 25纳秒
  • 包装/外壳 68-LCC (J-Lead)
  • 存储容量 32Kb (2K x 16)
  • 供应商设备包装 68-PLCC (24.21x24.21)

7133LA25JGI8 产品详情

The 7133LA25JGI8 high-speed 2K x 16 Dual-Port Static RAMs is designed to be used as a stand-alone 16-bit Dual-Port RAM or as a "MASTER" Dual-Port RAM together with the 7143 "SLAVE" Dual-Port in 32-bit-or-more word width systems. Low-power (LA) versions offer battery backup data retention capability, with each port typically consuming 200μW for a 2V battery. Military grade product in compliance with MIL-PRF-38535 QML is available.

Feature

  • True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location
  • Versatile control for write: separate write control for lower and upper byte of each port
  • easily expands data bus width to 32 bits or more using SLAVE
  • On-chip port arbitration logic
  • BUSY output flag
  • Fully asynchronous operation from either port
  • Battery backup operation–2V data retention
  • TTL-compatible
  • single 5V (±10%) power supply
  • Available in 68-pin ceramic PGA, Flatpack, PLCC and 100-pin TQFP packages
  • Industrial temperature range (–40C to +85C) is available


7133LA25JGI8所属分类:存储器,7133LA25JGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。7133LA25JGI8价格参考¥223.890207,你可以下载 7133LA25JGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询7133LA25JGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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