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6116LA70TDB

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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起订量: 300

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  • 单价: ¥137.76937
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41,330.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储容量 16Kb (2K x 8)
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 供应商设备包装 24-CDIP
  • 包装/外壳 24-CDIP(0.300英寸,7.62毫米)

6116LA70TDB 产品详情

The 6116LA70TDB 5V CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The 6116LA70TDB offers a reduced power standby mode.The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available.

Feature

  • High-speed access and chip select times – Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) – Industrial: 20/25ns (max.) – Commercial: 15/20/25ns (max.)
  • Low-power consumption
  • Battery backup operation – 2V data retention voltage (LA version only)
  • Produced with advanced CMOS high-performance technology
  • CMOS process virtually eliminates alpha particle soft-error rates
  • Input and output directly TTL-compatible
  • Static operation: no clocks or refresh required
  • Available in ceramic 24-pin DIP, ceramic and plastic 24-pin Thin Dip and 24-pin SOIC packages
  • Military product compliant to MIL-STD-833, Class B


6116LA70TDB所属分类:存储器,6116LA70TDB 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。6116LA70TDB价格参考¥137.769374,你可以下载 6116LA70TDB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询6116LA70TDB规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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