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71124S12YG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥26.20481
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.20
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 访达时期 12纳秒
  • 供应商设备包装 32-SOJ
  • 包装/外壳 32-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)

71124S12YG 产品详情

The 71124S12YG 5V CMOS SRAM is organized as 128K x 8. The JEDEC centerpower/GND pinout reduces noise generation and improves system performance. All bidirectional inputs and outputs of the 71124S12YG are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.

Feature

  • JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise.
  • Equal access and cycle times – Commercial and Industrial: 12/15/20ns
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ packages


71124S12YG所属分类:存储器,71124S12YG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71124S12YG价格参考¥26.204812,你可以下载 71124S12YG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71124S12YG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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