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71V67903S80BG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 252

  • 库存: 0
  • 单价: ¥164.50060
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41,454.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 时钟频率 100兆赫
  • 存储容量 9Mb(512K x 18)
  • 访达时期 8 ns
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-PBGA(14x22)

71V67903S80BG 产品详情

The 71V67903S80BG 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 18. The 71V67903S80BG SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • Fast access times 7.5ns up to 117MHz clock frequency
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O supply (VDDQ)
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages


71V67903S80BG所属分类:存储器,71V67903S80BG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V67903S80BG价格参考¥164.500600,你可以下载 71V67903S80BG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V67903S80BG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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