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71V124SA12YG
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71V124SA12YG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥34.49069
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.49
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 访达时期 12纳秒
  • 供应商设备包装 32-SOJ
  • 部件状态 上次购买
  • 包装/外壳 32-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)

71V124SA12YG 产品详情

The 71V124SA12YG 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 8. The JEDEC center power/GND pinout reduces noise generation and improves system performance. All bidirectional inputs and outputs of the 71V124SA12YG are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.

Feature

  • JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise
  • Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15/20ns – Industrial: 10/12/15/20ns
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Inputs and outputs are LVTTL-compatible
  • Single 3.3V supply
  • Low power consumption via chip deselect
  • Available in 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and 32-pin Type II TSOP packages.


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器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
71V65703S75PFI71V65703S75PFIIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V124SA12YG所属分类：存储器，71V124SA12YG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V124SA12YG价格参考￥34.490690，你可以下载 71V124SA12YG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V124SA12YG规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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