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IDT71256SA12YGI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥49.10686
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.11
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 访达时期 12纳秒
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 28-BSOJ (0.300", 7.62毫米 Width)
  • 供应商设备包装 28-SOJ

IDT71256SA12YGI 产品详情

:
The IDT71256SA12YGI is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high
performance, high-reliability CMOS technology.

Feature

:
• High-speed address/chip select time
— Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)
— Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.
• Low-power operation
• Battery Backup operation — 2V data retention
• Produced with advanced high-performance CMOS technology
• Input and output directly TTL-compatible
• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and 32-pin LCC
• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

IDT71256SA12YGI所属分类:存储器,IDT71256SA12YGI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IDT71256SA12YGI价格参考¥49.106862,你可以下载 IDT71256SA12YGI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IDT71256SA12YGI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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