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IDT71V416VS10PHI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥53.64092
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥53.64
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 存储容量 4Mb (256K x 16)
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 部件状态 过时的

IDT71V416VS10PHI 产品详情

:
The IDT71V416VS10PHI is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs.
The IDT71V416VS10PHI has an output enable pin which operates as fast as 6ns, with address access times as fast as 12ns. All bidirectional inputs and outputs of the IDT71V416VS10PHI are TTL compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.
The IDT71V416VS10PHI is packaged in a 44-pin, 400mil Plastic SOJ.

 

Feature

:
• 256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
• JEDEC Center Power /GND pinout for reduced noise
• Equal access and cycle times
— 12/15/20ns
• Single 3.3V power supply
• One Chip Select plus one Output Enable pin
• Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
• Low power consumption via chip deselect
• Upper and Lower Byte Enable Pins
• Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package

IDT71V416VS10PHI所属分类:存储器,IDT71V416VS10PHI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IDT71V416VS10PHI价格参考¥53.640917,你可以下载 IDT71V416VS10PHI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IDT71V416VS10PHI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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