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CY14E256LA-SZ45XI

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 NVSRAM
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 技术 NVSRAM(非易失性SRAM)
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 时钟频率 -
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 单字、单页写入耗时 45ns
  • 访达时期 45纳秒
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 供应商设备包装 32-SOIC
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 包装/外壳 32-SOIC(0.295“,7.50毫米宽)

CY14E256LA-SZ45XI 产品详情

The CY14E256LA-SZ45XI is a 256kB fast static Random Access Memory (RAM) with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 32kB. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the worlds most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

Feature

  • 45ns Access time
  • Hands off automatic STORE on power-down with only a small capacitor
  • RECALL to SRAM initiated by software or power-up
  • Infinite read, write and recall cycles
  • 20-Year data retention
CY14E256LA-SZ45XI所属分类:存储器,CY14E256LA-SZ45XI 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CY14E256LA-SZ45XI价格参考¥128.344188,你可以下载 CY14E256LA-SZ45XI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CY14E256LA-SZ45XI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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