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W63CH2MBVACE

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 178-VFBGA (11x11.5)
  • 品牌: 华邦电子 (Winbond)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 访达时期 -
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
  • 时钟频率 933兆赫
  • 部件状态 过时的
  • 技术 SDRAM-移动LPDDR3
  • 电源电压 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
  • 包装/外壳 178-VFBGA
  • 供应商设备包装 178-VFBGA (11x11.5)
  • 存储容量 4Gb (128M x 32)
  • 工作温度 -25摄氏度~85摄氏度(TC)

W63CH2MBVACE 产品详情

W63CH2MBVACE所属分类:存储器,W63CH2MBVACE 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W63CH2MBVACE价格参考¥34.664519,你可以下载 W63CH2MBVACE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W63CH2MBVACE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华邦电子 (Winbond)

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Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...

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