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71V3558SA100BQGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥73.79067
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储格式 SRAM
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 访达时期 5 ns
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 4.5Mb (256K x 18)
  • 技术 SRAM-同步,ZBT
  • 时钟频率 100兆赫
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-CABGA (13x15)

71V3558SA100BQGI8 产品详情

The 71V3558SA100BQGI8 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 256K x 18. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3558SA100BQGI8 contains data I/O, address and control signal registers.

Feature

  • Supports high performance system speed - 200 MHz (x18) (3.2 ns Clock-to-Data Access)
  • ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
  • Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE
  • Single R/W (READ/WRITE) control pin
  • Positive clock-edge triggered address, data, and control signal registers for fully pipelined applications
  • 4-word burst capability (interleaved or linear)
  • Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
  • Three chip enables for simple depth expansion
  • 3.3V power supply (±5%), 3.3V I/O Supply (VDDQ)
  • Optional- Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
  • Available in 100-pin TQFP and 165 fpBGA packages


71V3558SA100BQGI8所属分类:存储器,71V3558SA100BQGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V3558SA100BQGI8价格参考¥73.790665,你可以下载 71V3558SA100BQGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V3558SA100BQGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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