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IS43TR16256A-093NBL
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IS43TR16256A-093NBL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥27.62442
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    - +
  • 总计: ¥27.62
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规格参数

  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 访达时期 20纳秒
  • 工作温度 0摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 包装/外壳 96英尺
  • 供应商设备包装 96-TWBGA(9x13)
  • 技术 SDRAM-DDR3
  • 电源电压 1.425伏~ 1.575伏
  • 部件状态 过时的
  • 时钟频率 1.066千兆赫
  • 存储容量 4Gb (256M x 16)

IS43TR16256A-093NBL 产品详情

Feature


● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
   - Backward compatible to 1.5V
● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz
● 8 internal banks for concurrent operation
● 8n-Bit pre-fetch architecture
● Programmable CAS Latency
● Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
● Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
● Programmable Burst Length: 4 and 8
● Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
● BL switch on the fly
● Auto Self Refresh(ASR)
● Self Refresh Temperature(SRT)
● Refresh Interval:
   7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C
   3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C
● Partial Array Self Refresh
● Asynchronous RESET pin
● TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● Dynamic ODT (On-Die Termination)
● Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Write Leveling
● Up to 200 MHz in DLL off mode
● Operating temperature:
   Commercial (TC = 0°C to +95°C)
   Industrial (TC = -40°C to +95°C)
   Automotive, A1 (TC = -40°C to +95°C)
   Automotive, A2 (TC = -40°C to +105°C)

IS43TR16256A-093NBL所属分类:存储器,IS43TR16256A-093NBL 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43TR16256A-093NBL价格参考¥27.624421,你可以下载 IS43TR16256A-093NBL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43TR16256A-093NBL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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