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MB85R256FPF-G-BNDE1

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-SOP
  • 品牌: 加贺电子 (Kaga FEI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥42.54480
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥42.54
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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FRAM
  • 技术 铁电RAM
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 时钟频率 -
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 供应商设备包装 28-SOP
  • 制造厂商 加贺电子 (Kaga FEI)
  • 单字、单页写入耗时 150纳秒
  • 访达时期 150纳秒
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 28-SOIC(0.342“,8.69毫米宽)

MB85R256FPF-G-BNDE1 产品详情

The MB85R256FPF-G-BNDE1 is a 256kB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 32768 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85R256F is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R256F can be used for 10¹⁰ read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E²PROM.

Feature

  • High endurance 10 billion read/writes
  • Peripheral circuit CMOS construction
  • Operating power supply voltage - 2.7 to 3.6V
  • Data retention - 10 years

Applications

Computers & Computer Peripherals, Industrial
MB85R256FPF-G-BNDE1所属分类:存储器,MB85R256FPF-G-BNDE1 由 加贺电子 (Kaga FEI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MB85R256FPF-G-BNDE1价格参考¥42.544795,你可以下载 MB85R256FPF-G-BNDE1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MB85R256FPF-G-BNDE1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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作为一家专门从事电子产品的独立综合贸易公司,Kaga electronics自1968年首次开业以来一直在扩大业务。他们的主要优势是能够迅速发现新趋势,并通过倾听客户的声音稳定地提供最佳解决方案。然而,...

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