久芯网

MB85RC128PNF-G-JNE1

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP
  • 品牌: 加贺电子 (Kaga FEI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥109.45471
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥109.45
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FRAM
  • 技术 铁电RAM
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 IOC
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 时钟频率 400千赫
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 访达时期 900 ns
  • 供应商设备包装 8-SOP
  • 存储容量 128Kb (16K x 8)
  • 制造厂商 加贺电子 (Kaga FEI)
  • 部件状态 过时的

MB85RC128PNF-G-JNE1 产品详情

The MB85RC128PNF-G-JNE1 is a 128kB I²C Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) stand-alone chip in a configuration of 16384 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85RC128 adopts the 2-wire serial interface. Unlike SRAM, the MB85RC128 is able to retain data without using a data backup battery. The read/write endurance of the nonvolatile memory cells used for the MB85RC128 has improved to be at least 10¹⁰ cycles, significantly out performing flash memory and E²PROM in the number. The MB85RC128 does not need a polling sequence after writing to the memory such as the case of Flash memory nor E²PROM.

Feature

  • Operating frequency - 400kHz maximum
  • 2-wire serial interface
  • Operating power supply voltage - 2.7 to 3.6V
  • Low power consumption
  • Data retention - 10 years

Applications

Computers & Computer Peripherals, Industrial
MB85RC128PNF-G-JNE1所属分类:存储器,MB85RC128PNF-G-JNE1 由 加贺电子 (Kaga FEI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MB85RC128PNF-G-JNE1价格参考¥109.454705,你可以下载 MB85RC128PNF-G-JNE1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MB85RC128PNF-G-JNE1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

加贺电子 (Kaga FEI)

加贺电子 (Kaga FEI)

作为一家专门从事电子产品的独立综合贸易公司,Kaga electronics自1968年首次开业以来一直在扩大业务。他们的主要优势是能够迅速发现新趋势,并通过倾听客户的声音稳定地提供最佳解决方案。然而,...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部