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NCP5106BDR2G

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
2500+ 3.30015 8250.38750
  • 库存: 50000
  • 单价: ¥4.97587
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 安装类别 表面安装
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 250毫安, 500毫安
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.3伏
  • 上升/下降时长(典型值) 85ns, 35ns

NCP5106BDR2G 产品详情

MOSFET & IGBT Drivers, ON Semiconductor

Power drivers for MOSFET and IGBT in low side, high side, and half-bridge circuits.

Feature

  • High Voltage Range: Up to 600 V
  • dV/dt Immunity ± 50 V/nsec
  • Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V
  • High and Low Drive Outputs
  • Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA
  • 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible
  • Up to Vcc Swing on Input Pins
  • Matched Propagation Delays Between Both Channels
  • Outputs in Phase with the Inputs
  • Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies (Version A)
  • Cross Conduction Protection with 100 ns Internal Fixed Dead Time (Version B )
  • Under Vcc LockOut (UVLO) for Both Channels
  • Pin-to-Pin Compatible with Industry Standards

Applications

  • Half-Bridge Power Converters
  • Any Complementary Drive Converters (Asymmetrical Half-Bridge, Active Clamp) (A version only).
  • Full-Bridge Converters


(Picture: Pinout)


NCP5106BDR2G所属分类:栅极驱动器,NCP5106BDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP5106BDR2G价格参考¥4.975872,你可以下载 NCP5106BDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP5106BDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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