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BS2103F-E2

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~18伏 供应商设备包装: 8-SOP 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 供应商设备包装 8-SOP
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 60毫安, 130毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 200ns, 100ns
  • 电源电压 10伏~18伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1V, 2.6V
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.173", 4.40毫米 Width)

BS2103F-E2 产品详情

The BS2103FE2 is a monolithic high and low side gate drive IC, which can drive high speed power MOSFET and IGBT driver with bootstrap operation. The floating channel can be used to driven an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600V. The logic inputs can be used 3.3V and 5.0V. The Under Voltage Lockout (UVLO) circuit prevents malfunction when VCC and VBS are lower than the specified threshold voltage.

Feature

  • Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V
  • Gate drive supply range from 10V to 18V
  • Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels
  • 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible
  • Matched Propagation Delay for Both Channels
  • Output in phase with input


BS2103F-E2所属分类:栅极驱动器,BS2103F-E2 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS2103F-E2价格参考¥34.592090,你可以下载 BS2103F-E2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS2103F-E2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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