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HMC683LP6CE是IC DOWNCONVER 2CH 40-QFN，包括HMC683系列，它们设计用于与下变频器产品一起工作。数据表说明中显示了用于切割条替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.004138盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及40-VFQFN暴露焊盘包装盒，该器件也可用于700MHz~1GHz频率。此外，电压供应为4.75 V～5.25 V，该设备采用40-SMT（6x6）供应商设备包提供，该设备具有420mA电流供应，增益为7.5dB，噪声系数为11dB，RF类型为LTE、WiMax，LO频率为1.4 GHz至2 GHz，RF频率为1.7 GHz至2.2 GHz，次要属性为下变频器，混频器数量为2，Pd功耗为4.42 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为5 V，工作电源电流为450 mA，NF噪声系数为12 dB，P1dB压缩点为15 dBm，IF频率为0.06 GHz至0.4 GHz。
HMC684LP4ETR是集成电路MMIC混频器LO AMP 24-QFN，包括4.75 V～5.25 V电源，设计用于0.032741盎司单位重量的操作。数据表说明中显示了用于硅的技术，该硅提供了供应商设备包功能，如24-SMT（4x4），该系列设计用于HMC684，以及上/下转换器辅助属性，该设备也可以用作LTE、WiMax RF类型。此外，射频频率为700 MHz至1000 MHz，该设备提供0.69 W Pd功耗，该设备具有切割胶带（CT）交替包装，包装箱为24-VFQFN暴露垫，工作电源电压为5 V，工作电源电流为85 mA，混频器数量为1，噪声系数为7dB，NF噪声系数为7 dB，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+85℃，频率为700MHz~1GHz，电流供应为85mA，转换损耗最大值为9dB。
HMC684LP4E是集成电路MMIC混频器LO AMP 24-QFN，最大转换损耗为9 dB，设计用于85mA电流源，频率如数据表注释所示，用于700MHz~1GHz，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作7 dB NF噪声系数。此外，噪声系数为7dB，该器件有1个混频器，该器件的工作电源电流为85 mA，工作电源电压为5 V，封装外壳为24-VFQFN暴露垫，封装为切割条交替封装，Pd功耗为0.69 W，射频频率为700 MHz至1000 MHz，RF类型为LTE、WiMax，次要属性为上/下转换器，系列为HMC684，供应商设备封装为24-SMT（4x4），技术为硅，单位重量为0.032741盎司，电压供应为4.75V～5.25V。
HMC683LP6CETR，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计用于LTE、WiMax RF类型，系列如数据表注释所示，用于HMC683，该HMC683提供二级属性功能，如下变频器，频率设计用于700MHz~1GHz，以及7.5dB增益，该装置也可用作420mA电流源。此外，封装外壳为40-VFQFN外露焊盘，该器件采用40-SMT（6x6）供应商器件封装，该器件具有4.75V～5.25V的电压供应，混频器数量为2，噪声系数为11dB。
