SiT2001BI-S2-33E-32.000000D
- 描述:频率：32MHz 频率稳定度：±25ppm 供电电压：3.3V 输出模式：LVCMOS,HCMOS
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.85145 | 13.85145 |
| 10+ | 12.13841 | 121.38412 |
| 30+ | 11.06644 | 331.99347 |
| 100+ | 9.96295 | 996.29570 |
| 2000+ | 9.15372 | 18307.45800 |
| 4000+ | 9.08016 | 36320.65200 |
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数量:
- +
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规格参数
- 频率 32MHz
- 频率稳定度 ±25ppm
- 供电电压 3.3V
- 输出模式 LVCMOS,HCMOS
- 工作温度 -40℃~+85℃
SiT2001BI-S2-33E-32.000000D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIT1217I | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | DC-DC TRANSFORMER, FOR SCALE-IDR | ¥66.99683 |
| SIT1253I | 美国电源集成公司 (Power Integrations) | DC-DC TRANSFORMER, FOR SCALE-IDR | ¥66.99683 |
 | SIT9121AI-2B1-33E33.333333G | 硅泰 (SiTime) | OSC MEMS 33.333333MHZ LVDS SMD | ¥32.37866 |
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| SIT9005AC-13H33EL39.323146G | 硅泰 (SiTime) | SIT9005 - EMI REDUCTION OSCILLAT | ¥11.82614 |
| SIT8924BM-82-33E-26.214400X | 硅泰 (SiTime) | SIT8924 - LOW POWER PROGRAMMABL | ¥21.54328 |
| SIT9386AE-4B3-33N156.250000E | 硅泰 (SiTime) | 种类: XO (Standard) 频率: 156.25兆赫 输出: HCSL 频率的稳定性: ±50ppm 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥70.47342 |
 | SIT8008BI-33-33E-25.000000 | 硅泰 (SiTime) | 种类: XO (Standard) 频率: 25兆赫 输出: HCMOS、LVCMOS 频率的稳定性: ±50ppm 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.54662 |
 | SIT1533AC-H5-D93-32.768E | 硅泰 (SiTime) | 种类: XO (Standard) 频率: 32.768千赫 输出: NanoDrive 频率的稳定性: ±75ppm 工作温度: -10摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.61905 |
 | SIT9003AC-23-33DQ-12.0000Y | 硅泰 (SiTime) | 种类: XO (Standard) 频率: 12兆赫 输出: LVCMOS、LVTTL 频率的稳定性: ±50ppm 工作温度: -20摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.65346 |
SiT2001BI-S2-33E-32.000000D所属分类：振荡器，SiT2001BI-S2-33E-32.000000D 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。SiT2001BI-S2-33E-32.000000D价格参考￥13.851452，你可以下载 SiT2001BI-S2-33E-32.000000D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SiT2001BI-S2-33E-32.000000D规格参数、现货库存、封装信息等信息！