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SI2301B
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SI2301B

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@4.5V,2.8A
  • 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.13761 0.13761
  • 库存: 2970
  • 单价: ¥0.13762
  • 数量:
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  • 总计: ¥0.14
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 20V
  • 连续漏极电流(Id) 2.5A
  • 功率(Pd) 350mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@4.5V,2.8A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
SI2301B所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI2301B 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI2301B价格参考¥0.137615,你可以下载 SI2301B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI2301B规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

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