SI2301B
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@4.5V,2.8A
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 2.5A
- 功率(Pd) 350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@4.5V,2.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
SI2301B所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI2301B 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI2301B价格参考¥0.137615,你可以下载 SI2301B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI2301B规格参数、现货库存、封装信息等信息!
广东友台半导体 (UMW)
广东友台半导体有限公司(简称UMW),总部位于中国深圳,生产基地位于重庆大足区。公司是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。生产基地面积达12000余平方米,生产和...