2SK3018
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA
- 品牌: 杰盛微 (JSMSEMI)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 100mA
- 功率(Pd) 200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@4V,10mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@100uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 13pF@5V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 4pF@5V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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2SK3018所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3018 由 杰盛微 (JSMSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3018价格参考￥0.133994，你可以下载 2SK3018中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3018规格参数、现货库存、封装信息等信息！
杰盛微 (JSMSEMI)
JSMirco-SEMI成立于2005年，总部在中国台湾台中市，主要研发中心:美国、台湾、马来西亚、泰国。 JSMSEMI是一家专业生产电源管理芯片（AC-DC/DC-DC)、MOSFETs系列（高中低...
