SVF4N65DTR
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：77W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,2A
- 品牌: 士兰微 (SILAN)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 650V
- 连续漏极电流(Id) 4A
- 功率(Pd) 77W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.7Ω@10V,2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
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SVF4N65DTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SVF4N65DTR 由 士兰微 (SILAN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SVF4N65DTR价格参考￥0.802513，你可以下载 SVF4N65DTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SVF4N65DTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
士兰微 (SILAN)
杭州士兰微电子股份有限公司（上交所股票代码：士兰微，600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司目前的主要产品是集成电路和半导体...
