NCE6080K
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,20A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.08885 | 2.08885 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 80A
- 功率(Pd) 110W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
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NCE6080K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE6080K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE6080K价格参考￥2.088852，你可以下载 NCE6080K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE6080K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
