SI2305
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
- 品牌: 伯恩半导体 (BORN)
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 12V
- 连续漏极电流(Id) 4.1A
- 功率(Pd) 350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@1.8V,2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA
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SI2305所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2305 由 伯恩半导体 (BORN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2305价格参考￥0.288992，你可以下载 SI2305中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2305规格参数、现货库存、封装信息等信息！
伯恩半导体 (BORN)
伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成...
