1N60G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11Ω@10V,500mA
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.55524 | 0.55524 |
10+ | 0.45098 | 4.50986 |
30+ | 0.39885 | 11.96577 |
100+ | 0.35976 | 35.97620 |
500+ | 0.32579 | 162.89650 |
1000+ | 0.31015 | 310.15500 |
- 库存: 66155
- 单价: ¥0.55524
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数量:
- +
- 总计: ¥0.56
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 600V
- 连续漏极电流(Id) 1A
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
1N60G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),1N60G 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。1N60G价格参考¥0.555241,你可以下载 1N60G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询1N60G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
广东友台半导体 (UMW)
广东友台半导体有限公司(简称UMW),总部位于中国深圳,生产基地位于重庆大足区。公司是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。生产基地面积达12000余平方米,生产和...