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1N60G
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1N60G

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11Ω@10V,500mA
  • 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.55524 0.55524
10+ 0.45098 4.50986
30+ 0.39885 11.96577
100+ 0.35976 35.97620
500+ 0.32579 162.89650
1000+ 0.31015 310.15500
  • 库存: 66155
  • 单价: ¥0.55524
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 600V
  • 连续漏极电流(Id) 1A
  • 功率(Pd) -
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11Ω@10V,500mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
1N60G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),1N60G 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。1N60G价格参考¥0.555241,你可以下载 1N60G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询1N60G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

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