RU20P3B
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A
- 品牌: 锐骏半导体 (Ruichips)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.19411 | 0.19411 |
| 10+ | 0.17456 | 1.74561 |
| 30+ | 0.17147 | 5.14428 |
| 100+ | 0.14629 | 14.62920 |
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RU2012JR016CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 16毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±600ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR020CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 20毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±600ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR024CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 24毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±600ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR030CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 30毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±400ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR036CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 36毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±150ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR043CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 43毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±150ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR051CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 51 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±150ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
| RU2012JR062CS | 三星电机 (Samsung) | 电阻: 62 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 0.333W，1/3W 组成成分: 厚膜 温度系数: ±150ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥0.57161 |
RU20P3B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RU20P3B 由 锐骏半导体 (Ruichips) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RU20P3B价格参考￥0.194110，你可以下载 RU20P3B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RU20P3B规格参数、现货库存、封装信息等信息！
锐骏半导体 (Ruichips)
深圳市锐骏半导体有限公司（Ruichips）是黄泽军先生独资创办的国家高新技术企业及半导体芯片设计型公司，国内处于领先地位。公司总部位于深圳高新科技园区，专业从事集成电路、功率半导体芯片研发、测试及封装...
