SI2308A
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,3A
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 1.25W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 工作温度 -
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 | SI2165-D-GM | 芯科 (Silicon) | 电源电压: 1.14伏~3.6伏 功能: 解调器 应用及使用: 消费者视频 供应商设备包装: 36-QFN（5x6） 安装类别: 表面安装 | ¥34.62863 |
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 | SI2302 | 伯恩半导体 (BORN) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A | ¥0.14848 |
SI2308A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2308A 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2308A价格参考￥0.215114，你可以下载 SI2308A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2308A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
广东友台半导体 (UMW)
广东友台半导体有限公司（简称UMW），总部位于中国深圳，生产基地位于重庆大足区。公司是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。生产基地面积达12000余平方米，生产和...
