1N60G-AA3-R
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12Ω@10V,500mA
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 600V
- 连续漏极电流(Id) 1A
- 功率(Pd) 8W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
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1N60G-AA3-R所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，1N60G-AA3-R 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N60G-AA3-R价格参考￥0.434574，你可以下载 1N60G-AA3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N60G-AA3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！