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50N06
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50N06

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2500+ 0.73519 1837.99500
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    - +
  • 总计: ¥1.17
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 60V
  • 连续漏极电流(Id) 50A
  • 功率(Pd) 105W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@30A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 50nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 2.928nF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
50N06所属分类:分立场效应晶体管 (FET),50N06 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。50N06价格参考¥1.165383,你可以下载 50N06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询50N06规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

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