BSC109N10NS3G
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：63A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.9mΩ@10V,46A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.51105 | 9.51105 |
| 10+ | 8.15533 | 81.55332 |
| 30+ | 7.40916 | 222.27483 |
| 100+ | 6.56840 | 656.84050 |
| 500+ | 5.29676 | 2648.38100 |
| 1000+ | 5.12861 | 5128.61100 |
- 库存: 5101
- 单价: ¥9.51105
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.51
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 63A
- 功率(Pd) 78W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10.9mΩ@10V,46A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@45uA
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BSC109N10NS3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSC109N10NS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSC109N10NS3G价格参考￥9.511050，你可以下载 BSC109N10NS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSC109N10NS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
