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SI2312A
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SI2312A

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.77A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@4.5V,5A
  • 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.24325 0.24325
10+ 0.19739 1.97398
30+ 0.17446 5.23401
300+ 0.14674 44.02440
600+ 0.13299 79.79640
900+ 0.12611 113.50170
  • 库存: 17000
  • 单价: ¥0.24325
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  • 总计: ¥0.24
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 20V
  • 连续漏极电流(Id) 3.77A
  • 功率(Pd) 750mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 33mΩ@4.5V,5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 850mV@250uA
SI2312A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI2312A 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI2312A价格参考¥0.243253,你可以下载 SI2312A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI2312A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

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