SI2301ADS
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@4.5V,3A
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.42896 | 0.42896 |
10+ | 0.35329 | 3.53294 |
30+ | 0.31545 | 9.46371 |
300+ | 0.25726 | 77.18040 |
600+ | 0.23456 | 140.74140 |
900+ | 0.22321 | 200.89710 |
- 库存: 25620
- 单价: ¥0.42896
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 64mΩ@4.5V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 700mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 3.3nC@2.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 405pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 55pF@10V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
SI2301ADS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI2301ADS 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI2301ADS价格参考¥0.428961,你可以下载 SI2301ADS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI2301ADS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...