SM3400SRL
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A
- 品牌: 源芯半导体 (SPS)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.43892 | 0.43892 |
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数量:
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 5.8A
- 功率(Pd) 1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA
SM3400SRL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SM308031003F | 欧米特 (Ohmite) | SM308031003F | ¥64.46181 |
| SM310021004JE | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 1毫欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 7.5W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~180摄氏度 | ¥22.30813 |
| SM308035005FE | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 50 MOhms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~110摄氏度 | ¥22.30813 |
| SM308035005KE | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 50 MOhms 公差: ±10% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~110摄氏度 | ¥22.30813 |
| SM308032506JE | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 250毫欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~110摄氏度 | ¥19.12126 |
 | SM308034003F | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 400 kOhms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~110摄氏度 | ¥41.28453 |
| SM308035003F | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 500 kOhms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~110摄氏度 | ¥22.95999 |
| SM308031503KE | 欧米特 (Ohmite) | SM308031503KE | ¥39.47381 |
| SM306021004FE | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 1毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5.5W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~180摄氏度 | ¥37.22851 |
| SM36-MB00 | 欧姆龙 (Omron) | CM-S3 MOUNTING BRACKET | ¥147.1033 |
SM3400SRL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SM3400SRL 由 源芯半导体 (SPS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SM3400SRL价格参考￥0.438920，你可以下载 SM3400SRL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SM3400SRL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
源芯半导体 (SPS)
源芯半导体2004年成立于美国。本公司拥有IC设计技术与系統设计技术的研发团队，并领先同行，擁有晶圆制程和封装技术的设计能力，能提供客户效能佳、品质好以及高整合的产品。同时源芯半导体还致力于材料电子的开...
