2SK3878(STA1,E,S)
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：900V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1Ω@10V,4A
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.94497 | 5.94497 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 900V
- 连续漏极电流(Id) 9A
- 功率(Pd) 150W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,4A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@1mA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 60nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 2.2nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 190pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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2SK3878(STA1,E,S)所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3878(STA1,E,S) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3878(STA1,E,S)价格参考￥5.944972，你可以下载 2SK3878(STA1,E,S)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3878(STA1,E,S)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
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