SVF2N60F
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：23W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2Ω@10V,1A
- 品牌: 士兰微 (SILAN)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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| 数量 | 单价 | 合计 |
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| 1+ | 1.04732 | 1.04732 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 600V
- 连续漏极电流(Id) 2A
- 功率(Pd) 23W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.2Ω@10V,1A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
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SVF2N60F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SVF2N60F 由 士兰微 (SILAN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SVF2N60F价格参考￥1.047323，你可以下载 SVF2N60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SVF2N60F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
士兰微 (SILAN)
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