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BSC160N10NS3G
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BSC160N10NS3G

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,33A
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.79961 6.79961
10+ 6.09548 60.95480
30+ 5.42287 162.68625
100+ 4.91842 491.84220
500+ 4.16174 2080.87050
1000+ 4.06715 4067.15600
  • 库存: 17299
  • 单价: ¥6.79961
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.80
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 42A
  • 功率(Pd) 60W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,33A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@33uA
BSC160N10NS3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC160N10NS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC160N10NS3G价格参考¥6.799613,你可以下载 BSC160N10NS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC160N10NS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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