BSC160N10NS3G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,33A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 6.79961 | 6.79961 |
10+ | 6.09548 | 60.95480 |
30+ | 5.42287 | 162.68625 |
100+ | 4.91842 | 491.84220 |
500+ | 4.16174 | 2080.87050 |
1000+ | 4.06715 | 4067.15600 |
- 库存: 17299
- 单价: ¥6.79961
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数量:
- +
- 总计: ¥6.80
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 42A
- 功率(Pd) 60W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,33A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@33uA
BSC160N10NS3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC160N10NS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC160N10NS3G价格参考¥6.799613,你可以下载 BSC160N10NS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC160N10NS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。