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SSM3J35CT,L3F(T
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SSM3J35CT,L3F(T

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,50mA
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.95709 0.95709
10+ 0.76046 7.60461
30+ 0.67617 20.28525
100+ 0.57108 57.10810
500+ 0.52431 262.15700
1000+ 0.49615 496.15300
  • 库存: 20000
  • 单价: ¥0.95710
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.96
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 20V
  • 连续漏极电流(Id) 100mA
  • 功率(Pd) 100mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@4V,50mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@1mA
SSM3J35CT,L3F(T所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J35CT,L3F(T 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J35CT,L3F(T价格参考¥0.957099,你可以下载 SSM3J35CT,L3F(T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J35CT,L3F(T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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