SSM3J35CT,L3F(T
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,50mA
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.95709 | 0.95709 |
10+ | 0.76046 | 7.60461 |
30+ | 0.67617 | 20.28525 |
100+ | 0.57108 | 57.10810 |
500+ | 0.52431 | 262.15700 |
1000+ | 0.49615 | 496.15300 |
- 库存: 20000
- 单价: ¥0.95710
-
数量:
- +
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 100mA
- 功率(Pd) 100mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@4V,50mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@1mA
SSM3J35CT,L3F(T所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J35CT,L3F(T 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J35CT,L3F(T价格参考¥0.957099,你可以下载 SSM3J35CT,L3F(T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J35CT,L3F(T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。