
NTF2955T1G-VB
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):10.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,3A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.90951 | 3.90951 |
10+ | 3.26843 | 32.68438 |
30+ | 2.95315 | 88.59465 |
100+ | 2.62736 | 262.73620 |
500+ | 2.20698 | 1103.49200 |
1000+ | 2.11239 | 2112.39900 |
- 库存: 4763
- 单价: ¥3.90952
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.91
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 7A
- 功率(Pd) 10.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 19nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 150pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
NTF2955T1G-VB所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTF2955T1G-VB 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTF2955T1G-VB价格参考¥3.909515,你可以下载 NTF2955T1G-VB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTF2955T1G-VB规格参数、现货库存、封装信息等信息!