BSC016N06NS
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6mΩ@10V,50A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.69381 | 13.69381 |
10+ | 11.95975 | 119.59752 |
30+ | 10.87727 | 326.31837 |
100+ | 9.76327 | 976.32770 |
500+ | 7.95565 | 3977.82600 |
1000+ | 7.73495 | 7734.95400 |
- 库存: 12018
- 单价: ¥13.69381
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.69
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 30A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6mΩ@10V,50A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.3V@95uA
BSC016N06NS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC016N06NS 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC016N06NS价格参考¥13.693811,你可以下载 BSC016N06NS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC016N06NS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。