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40N06
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40N06

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10+ 0.89046 8.90464
30+ 0.79325 23.79750
100+ 0.67197 67.19750
500+ 0.61795 308.97850
1000+ 0.58558 585.58800
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  • 总计: ¥1.12
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 60V
  • 连续漏极电流(Id) 50A
  • 功率(Pd) 105W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 18mΩ@30A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 50nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 2.928nF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
40N06所属分类:分立场效应晶体管 (FET),40N06 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。40N06价格参考¥1.117362,你可以下载 40N06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询40N06规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

广东友台半导体 (UMW)

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