RS10N65F
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):840mΩ@10V,5A
- 品牌: 瑞森半导体 (REASUNOS)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.87958 | 2.87958 |
10+ | 2.34360 | 23.43607 |
50+ | 2.11239 | 105.61995 |
100+ | 1.81813 | 181.81340 |
500+ | 1.69202 | 846.01050 |
1000+ | 1.60794 | 1607.94600 |
- 库存: 1955
- 单价: ¥2.87959
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.88
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 650V
- 连续漏极电流(Id) 10A
- 功率(Pd) 65W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 840mΩ@10V,5A
RS10N65F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RS10N65F 由 瑞森半导体 (REASUNOS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RS10N65F价格参考¥2.879589,你可以下载 RS10N65F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RS10N65F规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞森半导体 (REASUNOS)
瑞森半导体(REASUNOS)起步于2007年,是一家专注于功率半导体器件与功率集成芯片的设计、研发、系统解决方案的国家级高新技术企业。2013年注册成立广东晟日半导体科技有限公司,(2017年更名为“...