BSP170PH6327
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.9A 功率(Pd):1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,1.9A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.87157 | 7.87157 |
10+ | 6.64197 | 66.41971 |
30+ | 5.96936 | 179.08098 |
100+ | 5.20217 | 520.21770 |
500+ | 4.86587 | 2432.93700 |
1000+ | 4.70823 | 4708.23300 |
- 库存: 2014
- 单价: ¥7.87158
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.87
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 1.9A
- 功率(Pd) 1.8W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 300mΩ@10V,1.9A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
BSP170PH6327所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSP170PH6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSP170PH6327价格参考¥7.871576,你可以下载 BSP170PH6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSP170PH6327规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。