TPM2008P3
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):700mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,650mA
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.16634 | 0.16634 |
10+ | 0.13086 | 1.30865 |
30+ | 0.11115 | 3.33471 |
100+ | 0.09932 | 9.93290 |
500+ | 0.08908 | 44.54000 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 700mA
- 功率(Pd) 100mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,650mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 750mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) 120pF@16V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 15pF@16V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
TPM2008P3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPM2008P3 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPM2008P3价格参考¥0.166340,你可以下载 TPM2008P3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPM2008P3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...