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TPM2008P3
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TPM2008P3

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):700mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,650mA
  • 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.16634 0.16634
10+ 0.13086 1.30865
30+ 0.11115 3.33471
100+ 0.09932 9.93290
500+ 0.08908 44.54000
  • 库存: 12420
  • 单价: ¥0.16634
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.17
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 20V
  • 连续漏极电流(Id) 700mA
  • 功率(Pd) 100mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,650mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 750mV@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) -
  • 输入电容(Ciss@Vds) 120pF@16V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 15pF@16V
  • 工作温度 +150℃@(Tj)
TPM2008P3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPM2008P3 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPM2008P3价格参考¥0.166340,你可以下载 TPM2008P3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPM2008P3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...

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